一、背景技術(shù)

　　在太陽(yáng)能電池生產(chǎn)領(lǐng)域高堰式螺旋分級(jí)機(jī)使用壽命，以多晶硅片為基體制成高堰式螺旋分級(jí)機(jī)使用壽命的太陽(yáng)能電池一直都是光伏市場(chǎng)的主流產(chǎn)品，而在整個(gè)晶體硅太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)鏈中單多晶硅片生產(chǎn)環(huán)節(jié)是一個(gè)用水大戶，在國(guó)家倡導(dǎo)節(jié)能減排的大背景下，如何在保證生產(chǎn)工藝和設(shè)備正常運(yùn)行的前提下大幅降低水資源單耗是一個(gè)亟待解決的問題。

　　目前，行業(yè)中單多晶硅塊及硅片的生產(chǎn)環(huán)節(jié)基本都是利用多線切割方式實(shí)現(xiàn)的，即高速運(yùn)行的鋼線攜帶含有 SiC 顆粒的砂漿把硅錠切割成硅塊和把硅塊切割成硅片，可想而知完成切割的硅塊和硅片表面上沾滿高堰式螺旋分級(jí)機(jī)使用壽命了砂漿，所以要進(jìn)行后續(xù)加工，需要用大量的水進(jìn)行噴淋沖洗操作，把沾滿砂漿的硅塊和硅片進(jìn)行預(yù)處理，用水量極大。

　　同時(shí)，在硅塊研磨倒角和帶鋸環(huán)節(jié)中，為高堰式螺旋分級(jí)機(jī)使用壽命了使刀口冷卻，也需要大量的水。在現(xiàn)有技術(shù)中，上述用水主要采用自來(lái)水，因此對(duì)自來(lái)水的消耗量較大。

　　二、本清洗方法研究

　　在本方法實(shí)施例中，根據(jù)單多晶硅片制造過程中各用水環(huán)節(jié)對(duì)水質(zhì)的要求，將這些用水環(huán)節(jié)分成高等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)、中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)、和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié);將高等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)排出的廢水進(jìn)行凈化處理，然后作為中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的用水，這樣能夠較好地利用高等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)排出的廢水，減小中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)對(duì)自來(lái)水的使用量。如果中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的用水量較大，還可以將這兩個(gè)環(huán)節(jié)排出的廢水也進(jìn)行凈化處理然后作為這兩個(gè)環(huán)節(jié)的用水，同樣有助于減小這兩個(gè)環(huán)節(jié)的自來(lái)水使用量。

　　在實(shí)際的單多晶硅片制造過程中，對(duì)切割硅塊得到的單多晶硅片進(jìn)行預(yù)沖洗的環(huán)節(jié)主要是對(duì)沾滿砂漿的硅片進(jìn)行預(yù)沖洗，此時(shí)的用水允許含有少量微小顆粒物，所以該環(huán)節(jié)可以認(rèn)為是低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié);對(duì)單多晶硅塊進(jìn)行形狀及表面加工時(shí)用水進(jìn)行冷卻的環(huán)節(jié)中，允許含有較多的可溶性物質(zhì)，所以該環(huán)節(jié)可以認(rèn)為是中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié);而在單多晶硅片完成加工后進(jìn)行清洗時(shí)，需要使用去離子水，此時(shí)對(duì)水質(zhì)要求相當(dāng)高，所以該環(huán)節(jié)可以認(rèn)為是高等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)。在使用去離子水對(duì)單多晶硅片進(jìn)行清洗時(shí)，通常采用多槽式超聲波硅片清洗機(jī)，該清洗機(jī)有預(yù)漂洗槽、藥液清洗槽、和精漂洗槽。其中藥液清洗槽排出的廢水中含有較多的清洗藥液，凈化處理較為復(fù)雜，因此在本實(shí)施例中，只將預(yù)漂洗槽和精漂洗槽排出的廢水進(jìn)行凈化處理。

　　在對(duì)上述用水環(huán)節(jié)排出的廢水進(jìn)行凈化處理時(shí)，對(duì)于高等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)排出的廢水，只進(jìn)行一級(jí)沉淀，然后進(jìn)行過濾;對(duì)于中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)排出的廢水進(jìn)行處理時(shí)，要進(jìn)行二級(jí)沉淀，然后進(jìn)行過濾。上述的過濾可以共用一個(gè)過濾裝置，一級(jí)沉淀可以采用二級(jí)沉淀中的第二級(jí)沉淀池。

　　具體參考圖1，圖1 是根據(jù)本方法實(shí)施例的廢水循環(huán)利用系統(tǒng)的基本原理的示意圖。

　　圖1

　　如圖 1 所示，本方法實(shí)施例的廢水循環(huán)利用系統(tǒng)中有第一級(jí)沉淀池 11、第二級(jí)沉淀池 12、以及過濾器 13，它們依次串聯(lián)。第一級(jí)沉淀池 11 具有與中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的廢水出口 A 相連的中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的第一級(jí)廢水接收口以及將沉淀后的廢水排出的第一級(jí)沉淀池出口;第二級(jí)沉淀池具有與第一級(jí)沉淀池出口相連的第二級(jí)沉淀池入口以及與高等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的廢水出口相連的高等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)廢水接收口;高等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)、中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)、和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)是根據(jù)單多晶硅片制造過程中各用水環(huán)節(jié)對(duì)水質(zhì)的要求而劃分。

　　上述的單多晶硅片制造過程中的中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的廢水經(jīng)過廢水出口A 排入第一級(jí)沉淀池11，經(jīng)第一級(jí)沉淀池11 沉淀處理之后進(jìn)入第二級(jí)沉淀池 12 從而完成了二級(jí)沉淀。高等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的廢水經(jīng)過廢水出口B 直接排入第二級(jí)沉淀池12，即只進(jìn)行一級(jí)沉淀。經(jīng)過過濾器 13 過濾的水經(jīng)過出水口 C 和出水口 D 就可以用作中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的用水。可以看出采用本方法實(shí)施例的廢水循環(huán)利用系統(tǒng)可以有效利用單多晶硅片制造過程中的各個(gè)環(huán)節(jié)排出的廢水，減小其中的中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的自來(lái)水使用量。

　　圖 2 是根據(jù)本方法實(shí)施例的廢水循環(huán)利用系統(tǒng)的一種優(yōu)選結(jié)構(gòu)的示意圖。

　　圖2

　　如圖 2 所示，第一級(jí)沉淀池 11 第二級(jí)沉淀池 12 過濾器 13 第一級(jí)沉淀池 11 和第二級(jí)沉淀池 12 可以均為平流式沉淀池，中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的廢水從廢水出口 A 處由第二三通閥 111 引入，經(jīng)過粗濾網(wǎng) 112 后進(jìn)入第一級(jí)沉淀池 11 的進(jìn)水槽 113(相當(dāng)于第一級(jí)沉淀池 11 的第一級(jí)廢水接收口)，或者在中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的用水已經(jīng)足夠的情況下直接排入污水管網(wǎng) W 中。由于中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的廢水水質(zhì)較差并且所含雜質(zhì)易沉淀，所以匯流管路或渠道必須采用坡度較大的設(shè)計(jì)施工。

　　來(lái)自于高等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)排出的廢水從廢水出口 B 處直接經(jīng)由粗濾網(wǎng) 121(相當(dāng)于第二級(jí)沉淀池 12 的高等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)廢水接收口)進(jìn)入第二級(jí)沉淀池 12。第一級(jí)沉淀池 11 中的水可以通過溢流(相當(dāng)于第一級(jí)沉淀池 11 的第一級(jí)沉淀池出口與第二級(jí)沉淀池 12 的二級(jí)沉淀池入口)的方式進(jìn)入第二級(jí)沉淀池 12。第一級(jí)沉淀池 11 和第二級(jí)級(jí)沉淀池 12 的串聯(lián)分布方式使得來(lái)自于中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的廢水經(jīng)過了兩級(jí)沉淀后大部分雜質(zhì)得以沉淀，并且第一級(jí)沉淀池 11 和第二級(jí)沉淀池 12 可以靈活的互為備用。第一級(jí)沉淀池 11 和第二級(jí)沉淀池 12 的頂部分別有刮泥車 114、刮泥車 122，內(nèi)部分別有刮泥板 115、刮泥板 123，底部分別有存泥斗 116、泥斗 124。這樣就可以方便的把沉淀的泥沙收集到存泥斗，再被污泥泵 14 抽走。

　　經(jīng)兩級(jí)沉淀處理后的廢水通過第二級(jí)沉淀池 12 和濾前儲(chǔ)水槽 15 之間的溢流堰 151 進(jìn)入濾前儲(chǔ)水槽 15。濾前儲(chǔ)水槽 15 的主要功能是為濾前泵 16 和過濾器 13 蓄水。濾前儲(chǔ)水槽 15 中設(shè)置第二高液位傳感器 152、第二中液位傳感器 153 和第二低液位傳感器 154。實(shí)際上，該系統(tǒng)還包括控制器，第一高液位傳感器191 與濾前泵16 之間通過控制器相連，控制器用于在液位達(dá)到第一高液位傳感器 191 時(shí)停止濾前泵 16 ;第一中液位傳感器 192 與增壓泵17 之間通過控制器相連，控制器也用于在液位達(dá)到第一中液位傳感器192 時(shí)啟動(dòng)增壓泵 17 ;第一低液位傳感器 193 與增壓泵 17 之間通過控制器相連，控制器還用于在液位低于第一低液位傳感器 193 停止增壓泵 17。

　　第二高液位傳感器 152 用于控制第二三通閥 111，即當(dāng)濾前儲(chǔ)水槽 15 的液位到達(dá)高液位時(shí)則發(fā)出信號(hào)，與各個(gè)液位傳感器以及水泵、閥門連接的控制系統(tǒng)(圖中未示出)根據(jù)該信號(hào)，控制第二三通閥 111 把來(lái)自于中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的廢水排至污水管網(wǎng) W。第二中液位傳感器 153 發(fā)出信號(hào)時(shí)，濾前泵 16 開始往過濾器 13 內(nèi)泵水。第二低液位傳感器 154 發(fā)出信號(hào)時(shí)，濾前泵 16 停止工作，防止抽空。第二級(jí)沉淀池 12 與過濾13 之間通過濾前泵 16 相連，濾前泵 16 的輸入端與第二級(jí)沉淀池 12 相連，濾前泵 16 的輸出端與過濾器 13 相連;過濾器 13 與壓力罐 18 之間設(shè)置濾后儲(chǔ)水槽 19，濾后儲(chǔ)水槽用于存儲(chǔ)過濾器13 過濾后的水;濾后儲(chǔ)水槽19 與壓力罐18 之間通過增壓泵17 相連，增壓泵17的輸入端與濾后儲(chǔ)水槽 19 相連，增壓泵 17 的輸出端與壓力罐 18 的輸入端相連;壓力罐 18 的輸出端與中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的供水輸入端相連。

　　溢流堰151 上具有通孔，該通孔上安裝有閥門155。通孔的高度與第二中液位傳感153 的高度基本相同或略低于第二中液位傳感器 153 的高度。這樣如果過濾器 13 的水源不足，可以直接打開閥門 155 供水?？梢杂卸鄠€(gè)通孔及閥門 155，并可以采用手動(dòng)閘閥。

　　實(shí)際上，過濾器 13 為砂濾器，該砂濾器設(shè)計(jì)為具有壓差感應(yīng)控制或固定周期控制式的自動(dòng)反洗功能過濾裝置，反洗水源采用增壓泵 17 提供水源，反洗水路 131 連接第一三通閥 132 的第一端，第一三通閥 132 的另兩端分別連接增壓泵 17 和壓力罐 18。砂濾器的排污出口可以與第一級(jí)沉淀池 11 的入口連接，也可以直接接入污水管網(wǎng) W。

　　反洗程序可采用圖 3 所示的流程，圖 3 是根據(jù)本方法實(shí)施例的砂濾器反洗程序的示意圖。

　　圖3

　　經(jīng)砂濾器過濾后的凈水流入濾后儲(chǔ)水槽 19，濾后儲(chǔ)水槽 19 設(shè)置有高、中、低三個(gè)液位傳感器，分別是第一高液位傳感器191、第一中液位傳感器192 和低液位傳感器193。第二高液位傳感器 152 與第二三通閥 111 之間通過控制器相連，控制器用于在液位達(dá)到第二高液位傳感器152 時(shí)控制第二三通閥111 將中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的廢水在污水管網(wǎng) W 和第一沉淀池 11 的入口之間切換;第二中液位傳感器 153 與濾前泵 16 之間通過控制器相連，控制器也用于在液位達(dá)到第二中液位傳感器 153 時(shí)啟動(dòng)濾前泵 16 ;第二低液位傳感器154 與濾前泵16 之間通過控制器連接，控制器還用于在液位低于第二低液位傳感器 154 時(shí)停止濾前泵 16。也就是說(shuō)，第一高液位傳感器 191 用于控制濾前泵 16 停止泵水，以達(dá)到用多少凈水產(chǎn)多少凈水的目的，最大限度降低系統(tǒng)運(yùn)行成本。第一中液位傳感器 192 用于控制增壓泵 17 的啟動(dòng)，即只有在濾后儲(chǔ)水槽 19 的水位到達(dá)中液位時(shí)才可以啟動(dòng)增壓泵 17。第一低液位傳感器 193 用于在濾后儲(chǔ)水槽 19 的水位到達(dá)低液位時(shí)停止增壓泵 27，從而能夠保護(hù)增壓泵 17，防止無(wú)水空轉(zhuǎn)。在濾后儲(chǔ)水槽 19 的水位符合增壓泵 17 的啟動(dòng)條件下，增壓泵 17 的啟停完全受壓力罐 18 內(nèi)的壓力感應(yīng)控制。最后通過壓力罐 18 聯(lián)通供水管路由出水口C 和出水口D 分別為中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)進(jìn)行恒壓供水，最終達(dá)到高效利用水資源的目的。

　　應(yīng)用圖2 所示的廢水循環(huán)利用系統(tǒng)時(shí)，可以選用的控制流程如圖4 和圖5 所示。

　　圖4 圖5

　　圖4 是根據(jù)本方法實(shí)施例的廢水循環(huán)利用系統(tǒng)在中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)用水狀態(tài)下的一種控制流程的示意圖。

　　圖 5 是根據(jù)本方法實(shí)施例的廢水循環(huán)利用系統(tǒng)在中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)在停止用水狀態(tài)下的一種控制流程的示意圖。

　　三、本方法的優(yōu)勢(shì)

　　本方法目的在于提供一種廢水循環(huán)利用方法與系統(tǒng)，以減小現(xiàn)有技術(shù)中單多晶硅片制造需要消耗大量自來(lái)水的問題。

　　1、水質(zhì)分類，合理優(yōu)化資源

　　根據(jù)多晶硅片制造過程中各用水環(huán)節(jié)對(duì)水質(zhì)的要求，將用水環(huán)節(jié)分成高等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)、中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)、和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié);將高等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)排出的廢水進(jìn)行凈化處理，然后作為中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的用水。將中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)排出的廢水進(jìn)行凈化處理，然后作為中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的用水。低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)包括對(duì)切割硅錠所得到的硅塊進(jìn)行沖洗的環(huán)節(jié)、對(duì)切割硅塊得到的單多晶硅片進(jìn)行預(yù)沖洗的環(huán)節(jié)，以及，對(duì)切割中所用工裝進(jìn)行沖洗的環(huán)節(jié);中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)包括對(duì)單多晶硅塊進(jìn)行形狀及表面研磨加工時(shí)用水進(jìn)行冷卻的環(huán)節(jié);高等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)包括采用去離子水對(duì)切割硅塊得到的單多晶硅片進(jìn)行清洗的環(huán)節(jié)。

　　高等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)中，采用多槽式超聲波硅片清洗機(jī)對(duì)切割硅塊得到的單多晶硅片進(jìn)行清洗;將高等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)排出的廢水進(jìn)行凈化處理的步驟包括：將多槽式超聲波硅片清洗機(jī)的預(yù)漂洗槽和精漂洗槽排出的廢水進(jìn)行凈化處理。

　　將高等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)排出的廢水進(jìn)行凈化處理的步驟包括：將高等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)排出的廢水先后進(jìn)行一級(jí)沉淀和過濾;將中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)排出的廢水進(jìn)行凈化處理的步驟包括：將中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)排出的廢水先后進(jìn)行兩級(jí)沉淀和過濾。

　　2、增加沉淀池和過濾器，對(duì)水要求進(jìn)行劃分

　　根據(jù)本方法的另一個(gè)方面，還提供了一種廢水循環(huán)利用系統(tǒng)，應(yīng)用于單多晶硅片制造，該系統(tǒng)包括：第一級(jí)沉淀池;第二級(jí)沉淀池;過濾器;其中，第一級(jí)沉淀池、第二級(jí)沉淀池、過濾器依次串聯(lián);第一級(jí)沉淀池具有與中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的廢水出口相連的第一級(jí)廢水接收口以及將沉淀后的廢水排出的第一級(jí)沉淀池出口;第二級(jí)沉淀池具有與第一級(jí)沉淀池出口相連的第二級(jí)沉淀池入口以及與高等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的廢水出口相連的第二級(jí)廢水接收口;高等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)、中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)、和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)是根據(jù)單多晶硅片制造過程中各用水環(huán)節(jié)對(duì)水質(zhì)的要求而劃分。

　　3、通過傳感器增加靈敏度

　　本方法提供的系統(tǒng)，還包括控制器，濾后儲(chǔ)水槽內(nèi)由高至低設(shè)置有第一高液位傳感器、第一中液位傳感器和第一低液位傳感器三個(gè)液位傳感器，其中，控制器分別與第一高液位傳感器和濾前泵相連，用于在液位達(dá)到第一高液位傳感器時(shí)停止濾前泵;控制器分別與第一中液位傳感器和增壓泵相連，用于在液位達(dá)到第一中液位傳感器時(shí)啟動(dòng)增壓泵;控制器分別與第一低液位傳感器和增壓泵相連，用于在液位低于第一低液位傳感器停止增壓泵。

　　本方法提供的系統(tǒng)，還包括第一三通閥，增壓泵和壓力罐分別連接至第一三通閥的兩端，該第一三通閥的第三端與過濾器的反洗水路連接;過濾器的反洗排污出口與第一級(jí)沉淀池的入口連接。

　　本方法提供的系統(tǒng)，還包括第二三通閥、濾前儲(chǔ)水槽和控制器，其中，第二三通閥的第一端與中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的廢水出口連接，第二端與污水管網(wǎng)連接，第三端與第一沉淀池的入口連接;濾前儲(chǔ)水槽與第二級(jí)沉淀池通過溢流堰連接，濾前儲(chǔ)水槽內(nèi)由高至低設(shè)置有第二高液位傳感器、第二中液位傳感器和第二低液位傳感器，其中，控制器分別與第二高液位傳感器和第二三通閥相連，用于在液位達(dá)到第二高液位傳感器時(shí)控制第二三通閥將中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的廢水在污水管網(wǎng)和第一沉淀池的入口之間切換;控制器分別與第二中液位傳感器和濾前泵相連，也用于在液位達(dá)到第二中液位傳感器時(shí)啟動(dòng)濾前泵;控制器分別與第二低液位傳感器和濾前泵連接，用于在液位低于第二低液位傳感器時(shí)停止濾前泵;溢流堰上具有通孔，該通孔上安裝有閥門，通孔的高度與濾前儲(chǔ)水槽內(nèi)的第二中液位傳感器的高度相同或低于第二中液位傳感器的高度。

　　四、小結(jié)

　　本方法提供了一種廢水循環(huán)利用方法及系統(tǒng)，該方法包括：根據(jù)單多晶硅片制造過程中各用水環(huán)節(jié)對(duì)水質(zhì)的要求，將所述用水環(huán)節(jié)分成高等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)、中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)、和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié);將所述高等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)排出的廢水進(jìn)行凈化處理，然后作為所述中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和所述低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的用水;該系統(tǒng)包括：第一級(jí)沉淀池;第二級(jí)沉淀池;過濾器;其中，所述第一級(jí)沉淀池、所述第二級(jí)沉淀池、所述過濾器依次串聯(lián);所述第一級(jí)沉淀池和所述第二級(jí)沉淀池用于處理中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的廢水;所述第二級(jí)沉淀池還用于處理高等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)的廢水。

　　本方法提供的廢水循環(huán)利用方法及系統(tǒng)利用第一級(jí)沉淀池和第二級(jí)沉淀池對(duì)單多晶硅片制造過程中的廢水進(jìn)行回收并處理之后應(yīng)用于該制造過程，使其中的中等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)和低等水質(zhì)用水環(huán)節(jié)無(wú)需額外使用自來(lái)水，減小了多晶硅片制造過程中的自來(lái)水消耗。本方法實(shí)施例中的廢水循環(huán)利用系統(tǒng)的水處理成本也較低，并可長(zhǎng)期自動(dòng)穩(wěn)定運(yùn)行，而且對(duì)于下一代金剛線切割制造工藝而言，該系統(tǒng)依然非常適用，無(wú)須升級(jí)改造。